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InAs砷化铟单晶衬底晶圆 是制造霍尔器件磁场传感器理想基材
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InAs砷化铟单晶衬底晶圆 是制造霍尔器件磁场传感器理想基材

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10*10*0.5mm浅灰色 晶向尺寸可定制 登录可见 登录可见 0 852569723587-1
2英寸*0.5mm灰色 登录可见 登录可见 0 852569723587-2

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